三星向其供应链传达了新闻，该消息本月没有停止基于1Y nm（第二代）水平流程生产的许多DDR4产品，而1Z NM流程（第三代10NM）制造的8GB LPDDR4流程也进入了EOL阶段。同时，Micron已通知客户停止用于服务器的DDR4模块的旧版本，SK Hynix还报告说，DDR4生产能力已降低到其生产共享的20％。这意味着存储器制造商加快了产品转移的速度，并投资了更多资源，例如HBM和DDR5。本文指出：DDR4和DDR5·带宽速度的差异：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s； ·芯片密度：DDR4芯片密度为4GB，DDR5为16GB； ·工作频率：最大DDR4为3200MHz，最大DDR5为6400MHz； ·功率消耗：DDR4单电量为1.2V，DDR5降低至1.1V。另外，DDR5内存还提高了指挥总线的效率，更好的令人耳目一新的方案，并提高了银行组以进一步绩效。尽管DDR5存储器的性能较高，而且电力消耗较低，但其价格相对较高。 4月9日，美国实施了“奖励关税”，但随后提供了90天的宽限期，激励消费者和供应商调整其应对政策不确定性的方法，从而扩大了第二季度DRAM和NAND FLASH的预期合同价格上涨。 Trendforce指出，当前的记忆价格得到了Triff前的库存和供应控制因素的支持，但是通用市场仍然具有很高的不确定性，并且长期的观点尚不清楚。随着中国记忆制造商的崛起给三星，三星，SK hynix和Micron等传统巨头带来巨大的竞争压力，可以逐渐停止DDR3和DDR4以及DDR4在较高的盈利DDR5，LPDDR5中的生产能力的记忆以及HBM内存以及GPU和AI系统。 CXMT和Fujian Jinhua等中国制造商的定价技术在2023年至2024年之间将平均存储价格降低了60％以上，三星和其他主要记忆制造商的DDR4市场将逐渐撤退。报道说，CXMT的生产能力每月达到200,000芯片，并计划到2024年底上升到300,000个芯片，这进一步拒绝了DDR4的价格。三星的决定无疑将加速记忆技术的发展，并可能对市场的开发和结构产生深远的影响。值得注意的是，三星还将停止生产HBM2E产品，该产品现在进入收购的最后阶段，并将其重点恢复到下一个HBM3E和HBM4。近年来，随着人工智能，高性能计算和PC的高性能记忆需求的迅速需求，HBM内存的市场前景广泛。但是，三星被捕在HBM产品的开发和销售中，SK Hynix和Micron的背后。为了更好地与竞争对手竞争，三星需要加快技术的速度，并使投资资源集中在新一代产品上。